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le a h3w, le t h3w, le b h3w osram ostar - projection lead (pb) free produc t - rohs compliant vorl?ufige daten / preliminary data 2010-03-03 1 besondere merkmale ? geh?usetyp: kompakte lichtquelle in multi-chip on board technologie mit glasabdeckung ? besonderheit des bauteils: extrem hohe helligkeit und leuchtdichte dank oberfl?chenemission und niedrigem r th vorbereitet fr den einsatz mit zus. optik ? wellenl?nge: 617 nm (amber); 520 nm (true green); 464 nm (blue) ? abstrahlwinkel: lambertscher strahler (120) ? abstrahlende fl?che: typ. 3,2 x 2,1 mm2 ? technologie: thinfilm ingaalp; thingan ? leuchtdichte: 26*10 6 cd/m2 (amber); 41*10 6 cd/m2 (true green); 9*10 6 cd/m2 (blue) ? montierbarkeit: verschraubbar ? stecker: 10 pin jst sm 10b-srss-tb ? esd-festigkeit: esd-sicher bis 2 kv nach jesd22-a114-d ? verpackungseinheit: 50 st. pro box = verpackungseinheit ? erweiterte korrosionsfestigkeit: details siehe seite 14 anwendungen ? projektion ? medizintechnik: operationslampen ? strahler fr die allgemeinbeleuchtung features ? package: compact lightsource in multi chip on board technology with glass window on top ? feature of the device: outstanding brightness and luminance due to pure surface emission and low r th prepared for additional optics ? wavelength: 617 nm (amber); 520 nm (true green); 464 nm (blue) ? viewing angle: lambertian emitter (120) ? light emitting surface: typ. 3.2 x 2.1 mm2 ? technology: thinfilm ingaalp; thingan ? luminance: 26*10 6 cd/m2 (amber); 41*10 6 cd/m2 (true green); 9*10 6 cd/m2 (blue) ? mounting methods: screw holes ? connector: 10 pin jst sm 10b-srss-tb ? esd-withstand voltage: up to 2 kv acc. to jesd22-a114-d ? method of packing: 50 pcs. per tray = packing unit ? superior corrosion robustness: details see page 14 applications ? projection ? medical lighting: surgery light ? spotlights
2010-03-03 2 le a h3w, le t h3w, le b h3w anm.: die oben genannten typbezeichnungen umfassen die bestellbaren selektionen. diese bestehen aus einer helligkeitsgruppe. es wird nur ei ne einzige helligkeitsgruppe und far bgruppe pro verpack ungsbox geliefert. * zum zweck der bemusterung kann in kleinen stckzah len der konfektionierte jst-gegenstecker mit kabel angefordert werden. note: the above type numbers represent the order groups wh ich includes only one brightness group per color and tray. only one group will be shipped on each tray. *in small amounts for the purpose of sampling the corrsponding connector assembled with cable can be ordered. bestellinformation ordering information typ type emissionsfarbe color of emission lichst?rke 1) seite 19 luminous intensity 1) page 19 i f = 1 a v (cd) lichtfluss 2) seite 19 luminous flux 2) page 19 i f = 1 a v (lm) le a h3w-lama-34 amber 112 ...224 465 typ. le t h3w-mana-25 true green 180 ...355 735 typ. le b h3w-jaka-23 blue 45 ... 90 168 typ. bestellinformation ordering information typ type bestellnummer ordering code le a h3w-lama-34 q65110a7699 le t h3w-mana-25 q65110a7704 le b h3w-jaka-23 q65110a7702 le_acc_shr_10v_sr q65110a4679 (connector)*
le a h3w, le t h3w, le b h3w 2010-03-03 3 grenzwerte maximum ratings bezeichnung parameter symbol symbol werte values einheit unit amber true green blue betriebstemperatur* operating temperature range* t board, op ? 40 ? + 85 c lagertemperatur storage temperature range t board, stg ? 40 ? + 85 c sperrschichttemperatur junction temperature t j 125 c durchlassstrom pro chip dc forward current per chip dc ( t board =25c) i f 1000 ma sto?strom pro chip dc surge current per chip dc t 10 s, d = 0.1; t a =25c i fm 2000 ma sperrspannung pro chip dc reverse voltage per chip dc ( t board =25c) v r 0.5 v sperrstrom pro chip dc reverse current per chip dc v r = 0.5 v i r 10 ma * eine betauung des moduls muss vermieden werden. condensation on the module has to be avoided.
2010-03-03 4 le a h3w, le t h3w, le b h3w kennwerte characteristics ( t a = 25 c) bezeichnung parameter symbol symbol werte values einheit unit amber true green blue wellenl?nge des emittierten lichtes wavelength at peak emission (typ.) i f = 1 a peak 627 516 460 nm dominantwellenl?nge 3) seite 19 (min.) dominant wavelength 3) page 19 (typ.) i f = 1 a (max.) dom dom dom 613 617 625 509 520 533 456 464 469 nm nm nm spektrale bandbreite bei 50 % vrel max spectral bandwidth at 50 % vrel max (typ.) i f = 1 a ? 26 44 30 nm abstrahlwinkel bei 50 % v (vollwinkel) (typ.) viewing angle at 50 % v 2 ? 120 grad deg. durchlassspannung pro chip 4) seite 19 (min.) forward voltage per chip 4) page 19 (typ.) i f = 1 a (max.) v f v f v f 2.25 2.8 3.95 3.1 3.8 4.65 v v v optischer wirkungsgrad optical efficiency (typ.) i f = 1 a opt 28 30 7 lm/w abstrahlende fl?che (typ.) radiating surface a color 3.2 x 2.1 mm2 leuchtdichte luminance (typ.) i f = 1 a l v 26*10 6 41*10 6 9*10 6 cd/m2 partieller lichtfluss partial flux (typ.) acc. cie 127:2007 led, 120 0.82 x led, 180 lm w?rmewiderstand des gesamten moduls thermal resistance of the module sperrschicht / bodenplatte junction / base plate r th jb 2.0 (typ.) k/w
le a h3w, le t h3w, le b h3w 2010-03-03 5 r t = ntc resistance in at temperature t in k r n = ntc resistance in at rated temperature t n in k (t n = 298 k for test condition) t, t n = temperature in k e = base of the natural logarithm (e = 2.71828) b = b value, material specific constant of the ntc thermistor typische thermistor kennlinie 2) 5) seite 19 typical thermistor graph 2) 5) page 19 i f = f ( v f ); t board = 25 c smd ntc thermistors smd ntc thermistors r 25 [] no. of r/t characteristic s* b 25/50 [k] b 25/85 [k] resistance tolerance r n /r n b value tolerance b/b p ntc,max,25 [mw] 10k epcos 8502 3940 3980 5% 3% 180 * for further information please visit www.epcos.com r t r n e b 1 t --- 1 t n ------ ? ?? ?? ? ? = bb nt ? tt n ? tt n ? ---------------- r n r t ------- ln ? == 0 0?c t r ohl02609 ntc 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 10000 10 20 30 40 50 60 70 90
le a h3w, le t h3w, le b h3w 2010-03-03 6 helligkeits-gruppierungsschema brightness groups helligkeitsgruppe brightness group lichtst?rke 1) seite 19 luminous intensity 1) page 19 v (cd) lichtstrom 2) seite 19 luminous flux 2) page 19 v (lm) amber; true green la lb ma mb na 112.0 ... 140.0 140.0 ... 180.0 180.0 ... 224.0 224.0 ... 280.0 280.0 ... 355.0 380 (typ.) 480 (typ.) 600 (typ.) 760 (typ.) 950 (typ.) blue ja jb ka 45.0 ... 56.0 56.0 ... 71.0 71.0 ... 90.0 150 (typ.) 190 (typ.) 240 (typ.) anm.: die standardlieferform von serientypen beinhaltet eine fa miliengruppe. diese besteht aus wenigen helligkeitsgruppen. einzelne helligkeitsgruppen sind nicht bestellbar. note: the standard shipping format for serial types includes a family group of only a few individual brightness groups. individu al brightness groups cannot be ordered. wellenl?ngengruppen (dominantwellenl?nge) 3) seite 19 wavelength groups (dominant wavelength) 3) page 19 gruppe group amber true green blue einheit unit min. max. min. max. min. max. 2 509 515 456 462 nm 3 613 619 515 521 462 469 nm 4 619 625 521 527 nm 5 527 533 nm gruppenbezeichnung auf etikett group name on label beispiel: la-3 example: la-3 helligkeitsgruppe brightness group wellenl?nge wavelength la 3 anm.: in einer verpackungseinheit ist immer nur eine gruppe fr jede selektion enthalten. note: no packing unit ever contains more than one group for each selection.
le a h3w, le t h3w, le b h3w 2010-03-03 7 relative spektrale emission pro chip 2) seite 19 relative spectral emission per chip 2) page 19 v( ) = spektrale augenempf indlichkeit / standard eye response curve i rel = f ( ), t a = 25 c, i f = 1 a abstrahlcharakteristik 2) seite 19 radiation characteristic 2) page 19 rel = f ( ? ); t a = 25 c 0 400 true green 550 450 500 600 650 nm 700 ohl02471 20 40 60 80 % 100 rel v amber blue ohl03736 0? 20? 40? 60? 80? 100? 120? 0.4 0.6 0.8 1.0 100? 90? 80? 70? 60? 50? 0? 10? 20? 30? 40? 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 ?
le a h3w, le t h3w, le b h3w 2010-03-03 8 durchlassstrom pro chip 2) seite 19 forward current per chip 2) page 19 i f = f ( v f ); t a = 25 c; le a h3w relative lichtst?rke 2) 6) seite 19 relative luminous intensity 2) 6) page 19 v / v (1 a) = f ( i f <1a); t a = 25 c; t p =1ms, d=0,0003 le a h3w durchlassstrom pro chip 2) seite 19 forward current per chip 2) page 19 i f = f ( v f ); t a = 25 c; le t h3w; le b h3w relative lichtst?rke 2) 6) seite 19 relative luminous intensity 2) 6) page 19 v / v (1 a) = f ( i f >1a); t a = 25 c; t p =1ms, d=0,0003 le a h3w ohl02995 a -2 10 i f 5 10 -1 5 0 10 1 10 (1 a) i i v v -2 10 5 10 -1 5 0 10 1 10 1 1.0 ohl03005 f i 1.2 1.4 1.6 1.8 2 a 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.7 v (1 a) v i i
le a h3w, le t h3w, le b h3w 2010-03-03 9 relative lichtst?rke 2) 6) seite 19 relative luminous intensity 2) 6) page 19 v / v (1 a) = f ( i f <1a); t a = 25 c; t p =1ms, d=0,0003 le t h3w; le b h3w dominante wellenl?nge 2) seite 19 dominant wavelength 2) page 19 dom = f ( i f ); t a = 25 c; le a h3w relative lichtst?rke 2) 6) seite 19 relative luminous intensity 2) 6) page 19 v / v (1 a) = f ( i f >1a); t a = 25 c; t p =1ms, d=0,0003 le t h3w; le b h3w dominante wellenl?nge 2) seite 19 dominant wavelength 2) page 19 dom = f ( i f ); t a = 25 c; le t h3w ohl03034 a -2 10 i f 5 10 -1 5 0 10 1 10 -2 10 5 10 -1 5 0 10 1 10 v (1 a) i v i ohl02996 -2.5 0 nm ? dom i f -2.0 -1.5 -1.0 -0.5 0 0.5 1.0 1.5 2.0 3.0 0.5 1 1.5 2 a 2.5 ohl03951 1.00 1 i f a 1.5 2 2.5 1.05 1.10 1.15 1.20 1.25 1.30 1.40 i v (1 a) v i ohl03031 -10 0 nm ? dom i f 0.5 1 1.5 2 a 2.5 -5 0 5 10 15 20 25
le a h3w, le t h3w, le b h3w 2010-03-03 10 dominante wellenl?nge 2) seite 19 dominant wavelength 2) page 19 dom = f ( i f ); t a = 25 c; le b h3w relative vorw?rtsspannung 2) seite 19 relative forward voltage 2) page 19 v f = v f - v f (25 c) = f ( t j ); i f = 1 a le a h3w relative vorw?rtsspannung 2) seite 19 relative forward voltage 2) page 19 v f = v f - v f (25 c) = f ( t j ); i f = 1 a le t h3w; le b h3w -0.20 t j ohl03738 v f v -40 ?c -20 0 20 40 60 80 120 -0.15 -0.10 -0.05 0 0.05 0.10 0.15 0.30 -0.4 t j ohl03737 v f v -40 ?c -20 0 20 40 60 80 120 -0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.3
le a h3w, le t h3w, le b h3w 2010-03-03 11 relative lichtst?rke 2) seite 19 relative luminous intensity 2) page 19 v / v (25 c) = f ( t j ); i f = 1 a; le a h3w relative lichtst?rke 2) seite 19 relative luminous intensity 2) page 19 v / v (25 c) = f ( t j ); i f = 1 a; le b h3w relative lichtst?rke 2) seite 19 relative luminous intensity 2) page 19 v / v (25 c) = f ( t j ); i f = 1 a; le t h3w -40 0 v (25 ?c) i i v t j ohl03742 ?c -20 0 20 40 60 80 120 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.6 -40 0 v (25 ?c) i i v t j ohl03744 ?c -20 0 20 40 60 80 120 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.6 -40 0 v (25 ?c) i i v t j ohl03743 ?c -20 0 20 40 60 80 120 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.6
le a h3w, le t h3w, le b h3w 2010-03-03 12 dominante wellenl?nge 2) seite 19 dominant wavelength 2) page 19 dom = f ( t j ); i f = 1 a; le a h3w dominante wellenl?nge 2) seite 19 dominant wavelength 2) page 19 dom = f ( t j ); i f = 1 a; le b h3w dominante wellenl?nge 2) seite 19 dominant wavelength 2) page 19 dom = f ( t j ); i f = 1 a; le t h3w -6 t j ohl03740 nm -40 ?c -20 0 20 40 60 80 120 ? dom -4 -2 0 2 4 6 8 -6 t j ohl03739 nm -40 ?c -20 0 20 40 60 80 120 ? dom -4 -2 0 2 4 6 8 -6 t j ohl03741 nm -40 ?c -20 0 20 40 60 80 120 ? dom -4 -2 0 2 4 6 8
le a h3w, le t h3w, le b h3w 2010-03-03 13 transient thermal resistance zth*(frequency,dc) for 6chips operated 6 chips operated; i f = f ( t s ) zul?ssige impulsbelastbarkeit i f = f ( t p ) permissible pulse handling capability duty cycle d = parameter , t board = 55 c 6 chips operated simultaneously in series zul?ssige impulsbelastbarkeit i f = f ( t p ) permissible pulse handling capability duty cycle d = parameter, t board = 85 c 6 chips operated simultaneously in series 0 0 th z ohl03895 duty cycle k/w 240 hz 2880 hz 360 hz * 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 0 0.5 max i ohl03891 duty cycle a 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 2.0 240 hz 360 hz 2880 hz t t = 125 ?c t = 70 k j = 55 ?c board max i 0 0.5 max i ohl03892 duty cycle a 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 2.0 t t = 125 ?c t = 40 k j = 85 ?c board max i 240 hz 360 hz 2880 hz
2010-03-03 14 le a h3w, le t h3w, le b h3w ma?zeichnung 7) seite 19 package outlines 7) page 19 verwendeter stecker / used male connector on board: jst sm10b-srss-tb ( www.jst.com ) empfohlene gegenstecker / jst shr-10v-s ( www.jst.com ) recommended female connector for power supply: jst shr-10v-s-b ( www.jst.com ) kontakt - pins: ssh-003t-p0.2 ( www.jst.com ) korrosionsfestigkeit besser als en 60068-2-60 (method 4): mit erweitertem korrosionstest: 40c / 90%rh / 15ppm h2s / 336h corrosion robustness better than en 60068-2-60 (method 4): with enhanced corrosion test: 40c / 90%rh / 15ppm h2s / 336h gewicht / approx. weight: 5.3 mg chip-position: le a h3w 1-6: amber le t h3w 1-6: true green le b h3w 1-6: blue pin-assignment: 1: anode; chip 5, 6 2: cathode; chip 5, 6 3: anode; chip 4 4: cathode; chip 4 5: ntc 6: ntc 7: anode; chip 3 8: cathode; chip 3 9: anode; chip 1, 2 10: cathode; chip 1, 2
le a h3w, le t h3w, le b h3w 2010-03-03 15 connecting and disconnecting osra m os ostar projection modules when connecting or disconnecting an ostar projection module care has to be taken in order to prevent a damage of the module. the module is equipped with a male connector socket (jst sm 10b-sr ss-tb). as a female connector for power supply a jst shr-10v-s (without protrusions) or a jst shr-10v-s-b (with protrusions) with ssh-003t-p0.2 pins is recommended. when disconnecting the connector the applied pull forc e must not exceed 17 n * (footnote * a force of 17 n can only be applied dynamically during disconnec ting. no constant force must be applied to the connector.) disconnection of the mo dule during operation or at high temperatures can damage the module. the board temperature must not exceed 40 c during disconnection. du ring mating operation, mate connectors while holding wires in a bundle on the same axis to the mating axis. for unmating wires must be held in a bundle within 20 degrees to the mating axis (see fig. for explanation). oho03020 pcb connector pcb connector wire 20? 20? 20? wire
2010-03-03 16 le a h3w, le t h3w, le b h3w verpackung 7) seite 19 50 st. pro box = verpackungseinheit method of packing 7) page 19 50 pcs. per tray = packing unit elektrisches ersatzschaltbild equivalent circuit diagram ohee4404 protection pin 1 esd- pin 2 chip 6 chip 5 chip 4 pin 4 pin 3 chip 3 pin 8 pin 7 chip 2 chip 1 pin 10 pin 9 esd- protection esd- protection esd- protection
le a h3w, le t h3w, le b h3w 2010-03-03 17 barcode-tray-etikett (btl) barcode-tray-label (btl) kartonverpackung und materialien transportation packing and materials dimensions of transportation box in mm (inch) breite / width l?nge / length h?he / height 223 5 (8,7795 0,19685 ) 170 5 (6,6929 0,19685 ) 21 5 (0,826772 0,19685 ) material: bar code material number batch batch number oha02684 dc: le xxx xxx group: xxxx-xxxx-xxxx date code data matrix code bin bin nr. oha02886 p a c k v a r : r 0 7 7 a d d i t i o n a l t e x t p-1+q-1 multi topled muster o sr a m o pto s e m i c o n d u c t o r s ( 6 p ) b a t c h n o : ( x ) p r o d n o : 1 0 ( 9 d ) d / c : 1 1 ( 1 t ) l o t n o : 2 1 0 0 2 1 9 9 8 123gh1234 0 2 45 ( q ) q t y : 2000 0144 ( g ) g r o u p : 2 6 0 c r t 2 4 0 c r 3 2 2 0 c r m l b i n 3 : b i n 2 : q - 1 - 2 0 b i n 1 : p - 1 - 2 0 lsy t676 2 2 a t e m p s t r18 d e m y barcode label original packing label box
2010-03-03 18 le a h3w, le t h3w, le b h3w anm.: wegen der streichung der led aus der iec 60825- 1 (2nd edition 2007-03) er folgt die bewertung der augesicherheit nach dem standard cie s009/e:2002 ("phot obiological safety of lamps and lamp systems") / iec 62471 (1st edition 2006-07).im risikogruppensystem di eser cie- norm erfllen die in diesem datenblatt angegebenen led die "moderate risk"- gruppe (die sich im "sichtbaren" spektralbereich auf eine expositionsdauer von 0,25 s bezieht). unter real en umst?nden (fr expositionsdauer, augenpupille, betrachtungsabstand) geht damit von diesen bauele menten keinerlei augengef?hrdung aus.grunds?tzlich sollte jedoch erw?hnt werden, dass intensive lichtquellen durch ihre blendwirkung ein hohes sekund?res gefahrenpotenzial besitzen. wie nach dem blick in andere helle lichtquellen (z.b. autoscheinwerfer) auch, k?nnen tempor?r eingeschr?nktes sehverm?gen und nachbilder je nach sit uation zu irritationen, bel?stigungen, beeintr?chtigungen oder sogar unf?llen fhren. note: due to the cancellation of the led from iec 608251 ( 2nd edition 2007-03) , the evaluation of eye safety occurs according to the dual iec/cie logo standard cie s009 /e:2002 ("photobiological safety of lamps and lamp systems")- iec 62471 (1st edition 2006-07). within the ri sk grouping system of this cie standard, the leds specified in this data sheet fall into the "lmoderate risk " group (relating to devices in the visible spectrum with an exposure time of 0.25s). under r eal circumstances (for exposure time, eye pupils, observation distance), it is assumed that no endangerment to the eye exists from these devices. as a matter of principle, however, it should be mentioned that intense light sources have a high secondary exposure potenti al due to their blinding effect. as is also true when viewing other bright ligh t sources (e.g. headlights), temporary reduction in visual acuity and afterimages can occur, leading to irritation, annoyance, visual impairment, and even accidents, depending on the situation. attention please! the information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. terms of delivery and rights to change design reserv ed. due to technical requirements components may contain dangerous substances. for information on the types in question please contact our sales organization. if printed or downloaded, please find the latest version in the internet. packing please use the recycling operators known to you. we can also help you ? get in touch with your nearest sales office. by agreement we will take packing material back, if it is sorted. you must bear the costs of tr ansport. for packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. components used in life-support devices or system s must be expressly authorized for such purpose! critical components 10) page 19 may only be used in life-support devices or systems 11) page 19 with the express written approval of osram os. revision history: 2010-03-03 previous version: 2010-02-15 page subjects (major changes since last revision) date of change 16 correction of equivalent circuit 2010-02-15 1, 14 additional information 2010-03-03
le a h3w, le t h3w, le b h3w 2010-03-03 19 fu?noten: 1) helligkeitswerte werden mit einer stromeinpr?gedauer von 25 ms und einer genauigkeit von 11% ermittelt. messbedingung fr lichtst?rkemessung nach cie127 condition a. 2) wegen der besonderen prozessbedingungen bei der herstellung von led k?nnen typische oder abgeleitete technische parameter nur aufgrund statistischer werte wiedergegeben werden. diese stimmen nicht notwendigerweise mit den werten jedes einzelnen produktes berein, dessen werte sich von typischen und abgeleiteten werten oder typischen kennlinien unterscheiden k?nnen. falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer verbesserungen, werden diese typischen werte ohne weitere ankndigung ge?ndert. 3) wellenl?ngen werden mit einer stromeinpr?gedauer von 25 ms und einer genauigkeit von 1 nm ermittelt. 4) spannungswerte werden mit einer stromeinpr?gedauer von 1 ms und einer genauigkeit von 0,1 v ermittelt. 5) die r-t-kurve eines ntc l??t sich in einem engen bereich um den spezifizierten wert herum in erster n?herung durch einen exponentialen zusammenhang beschreiben. sofern eine detailliertere beschreibung der r-t-kurve fr die praxis n?tig ist, k?nnen eine ganauere formel und entsprechende tabellierte werte bei epcos gefunden werden. 6) im gestrichelten bereich der kennlinien muss mit erh?hten helligkeitsunterschieden zwischen leuchtdioden innerhalb einer verpackungseinheit gerechnet werden. 7) ma?e werden wie folgt angegeben: mm (inch). 8) ein kritisches bauteil ist ein bauteil, das in lebenserhaltenden apparaten oder systemen eingesetzt wird und dessen defekt voraussichtlich zu einer fehlfunktion dieses lebenserhaltenden apparates oder systems fhren wird oder die sicherheit oder effektivit?t dieses apparates oder systems beeintr?chtigt. 9) lebenserhaltende apparate oder systeme sind fr (a) die implantierung in den menschlichen k?rper oder (b) fr die lebenserhaltung bestimmt. falls sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die gesundheit und das leben des patienten in gefahr ist. published by osram opto semiconductors gmbh leibnizstra?e 4, d-93055 regensburg www.osram-os.com ? all rights reserved. remarks: 1) brightness groups are tested at a current pulse duration of 25 ms and a tolerance of 11%. condition for luminous intensity measurement acc. to cie127 condition a 2) due to the special conditions of the manufacturing processes of led, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. these do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characeristic line. if requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. 3) wavelengths are tested at a current pulse duration of 25 ms and a tolerance of 1 nm. 4) forward voltages are tested at a current pulse duration of 1 ms and a tolerance of 0.1 v. 5) the r-t-curve of an ntc thermistor can be roughly described in a restricted range around the rated temperautre. if a more precise desciption of the r/t curve is required for practical applications a refined formular and the corresponding tabulated values can be found at epcos 6) in the range where the line of the graph is broken, you must expect higher brightness differences between single leds within one packing unit. 7) dimensions are specified as follows: mm (inch). 8) a critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. 9) life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. if they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered.

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